Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» намерен выплачивать дополнительные стипендии до 20 тысяч рублей ежемесячно студентам, которые получили высокие результаты ЕГЭ.
Эти средства будут выплачиваться вместе с обычной академической стипендией учащимся, зачисленным в ВУЗ по результатам итоговых школьных испытаний. Дополнительно успешным студентам будут компенсироваться затраты на проезд в столицу и преференции для проживания в лучших общежитиях университета.
Для этого в НИТУ «МИСиС» реализуется специальная программа, называемая «Best MISIS». Для получения дополнительной стипендии студентам, зачисленным в университет необходимо соответствовать двум условиям:
1. Общее количество баллов за ЕГЭ по трём основным предметам должно составлять от 230 до 260 баллов.
2. Или призовое место на заключительном этапе Всероссийской школьной олимпиады.
Однако количество средств, выделяемых ВУЗом для выплаты увеличенной стипендии, ограничено. Поэтому данные выплаты предназначены только для 250 студентов. Из этого количества будут выбраны 230 учащихся по направлению специалитета и бакалавриата и ещё 20 студентов, которые будут учиться по направлению магистратуры.
Пресс-служба НИТУ «МИСиС» сообщила, что преимущества получат те из абитуриентов, которые раньше всех подадут документы для поступления в ВУЗ.
Главная цель программы «Best MISIS» заключается в повышении качества подготовки специалистов технического и инженерного профиля, обладающих крепкими знаниями, практическими навыками и мотивироанными на достижения высоких результатов на производстве и в проведении научных исследований. Правила поддержки лучших студентов существуют уже третий год и принесли положительные плоды – в МИСис всё больше поступает грамотных образованных молодых людей, выбравших для себя востребованные в экономике страны профессии.
В течение двух последних лет стипендиатами по программе «Best MISIS» стали 500 учащихся, в этом году к ним добавятся ещё 250 человек. Данные условия предназначены только для студентов, обучающихся очно на бюджетной основе.
